近期，全球存储芯片市场持续释放积极信号。
三星、美光、SK 海力士等行业巨头相继宣布提价，DRAM 产品涨幅普遍达 15%~30%，NAND 闪存价格亦上调 5%~10%，部分厂商甚至暂停报价以应对供应紧张；从市场端看，DDR4 内存半年累计涨幅超 200%，HDD、SSD、HBM 等产品因 AI 需求爆发陷入供不应求。
与此同时，资本市场反应热烈，美光近一个月股价涨约 60%，铠侠、闪迪涨幅超 100%，A 股相关概念股也随之拉升，展现出市场对存储板块的强烈信心。
在此背景下，摩根士丹利研报指出，AI 驱动下存储行业供需失衡加剧，预计将开启持续数年的 「超级周期」，到 2027 年全球存储市场规模有望向 3000 亿美元迈进，存储芯片行业或正迎来新一轮产业周期的起点。
一、半导体行业 「风向标」，逻辑生变
存储芯片作为半导体行业的 「风向标」，其周期性波动始终是观察产业景气度的关键窗口。
复盘近十年来三轮核心周期可见，存储行业的典型周期时长约为 3~4 年，且每一轮周期都由不同需求与技术变革驱动：
图源：野村证券
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2016~2019 年，DDR4 技术迭代叠加手机游戏需求爆发，推动存储价格累计涨幅超 100%；
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2020~2023 年，全球疫情催生的远程办公与数据中心需求先拉动价格上涨，后又因需求疲软与产能过剩陷入调整，累计跌幅超 50%；
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2024 年至今，AI 算力基建与 HBM 技术革命成为新引擎，直接改写了传统周期逻辑。
需要注意的是，与前两轮周期不同，本轮上行不再依赖个人消费端需求，而是以企业级 AI 资本开支为核心——HBM 价格年内暴涨 500%，DDR4 价格涨幅超 50%，高端存储产品 「量价齐升」 的同时，利基市场国产替代也在加速。
更关键的是，AI 数据中心对存储产能的 「吞噬式需求」，让全产业链呈现罕见的全品类普涨态势：从消费级 NVMe SSD、DDR4 内存条，到企业级存储系统与大容量 HDD，价格同步攀升。
这种结构性变化正在重塑存储产业的传统周期模型。据 CFM 闪存市场预测，2025 年全球存储市场规模有望达到 1932 亿美元，将创下历史最高纪录。存储芯片行业，似乎开启了由 AI 驱动的全新产业周期。
二、AI 重构存储 「供需新规则」
AI 技术的爆发式演进不仅是存储需求的 「超级引擎」，更在深层次重构全球存储芯片市场的 「供需新规则」，推动行业迈入前所未有的变革周期。
从市场供需逻辑来看，AI 正以颠覆性力量催生结构性存储缺口。这种缺口并非简单的数量增长，而是由性能与容量双重诉求驱动的质的飞跃。据美光数据显示，AI 服务器的 DRAM 容量需求是普通服务器的 8 倍，NAND 容量需求则达到 3 倍，单台 AI 服务器存储需求更是高达 2TB，远超传统服务器的配置标准。
更关键的是，AI 大模型 「训练-推理-再训练」 的正循环，使得数据存储需求呈现持续放大的态势，一个 GPU 节点就可能消耗数百 GB DRAM 和数 TB 闪存，超大规模数据中心的需求规模更是呈指数级扩张。
这种需求爆发在核心项目上体现得尤为极致，以 OpenAI 的 「星际之门」（Stargate）项目为例，该项目与三星、SK 海力士达成合作，每月需采购 90 万片 DRAM 晶圆，这一数字相当于全球 DRAM 总产量的近 40%，这种规模的单一订单，彻底改变了原有的市场平衡。而四家云巨头对 AI 相关 NAND 的订单也已达 200EB，远超 2026 年 150EB 的原预期。
全球存储市场已然清晰感知到：人工智能正在重构行业运行的底层逻辑。
与此同时，需求激增直接推高了存储芯片在 AI 基建中的成本占比，尤其是高性能存储成为成本核心。以 HBM 为例，其单颗价格突破 5000 美元，是传统 DDR5 内存的 20 倍，而毛利率却高达 50%~60%，远超传统 DRAM 30% 左右的水平。由于每一块 HBM 都需针对特定 AI GPU 定制，客户需提前一年下单锁定产能，这种 「定制化+长周期」 的订货模式，进一步凸显了其战略价值。
同时，NAND 闪存的成本权重也在上升，随着 HDD 供应短缺导致近线存储加速向 QLC SSD 迁移，多家超大规模云厂商的大额追加订单，使得企业级 SSD 成为数据中心建设的刚需，存储芯片已从原来的辅助组件升级为成本核心，成为左右厂商利润的关键变量。
在此背景下，HBM、DRAM 与 NAND 等高性能存储资源成为行业必争的战略资源。从市场规模看，摩根士丹利预测全球 HBM 市场将从 2023 年的 30 亿美元飙升至 2027 年的 530 亿美元，年复合增长率超 100%；而 NAND 市场虽起步更早，但 AI 推理需求的爆发使其焕发新生，从上述提到的四家云巨头订单预测变动能看到，供需缺口显著。
产能端的稀缺性更显突出：美光 2026 年底前的 HBM 产能已全部预售完毕，SK 海力士 12 层堆叠 HBM3e 产品即便良率仅 75%，2026 年产能也被英伟达、AMD 等企业锁定，三星下一代 V9 NAND 未发布便订单满额，供需紧张态势可见一斑。
存储芯片行业剧变：价格、产能与技术的全方位革新
供需规则的重构，迅速传导为行业层面的剧烈变革，存储价格飙升成为最直观的市场信号。
从 2025 年 9 月以来，全球存储巨头密集发布涨价通知，形成 「集体提价潮」：三星宣布第四季度 DRAM 价格上调 15%~30%，NAND 价格上调 5%~10%；美光更是将存储产品价格拉高 20%~30%，并暂停报价一周以消化涨幅；闪迪对全渠道 NAND 产品提价 10% 以上，群联恢复报价后涨幅约 10%，被视为 NAND 涨价的明确信号。
此外，现货市场反应更为激烈，DDR4 芯片半年累计涨幅超 200%，2025 年 Q2 单月涨幅一度达 53%，出现与 DDR5 价格倒挂的罕见现象；NAND 晶圆现货价格在 10 月环比上涨 9%-11%，服务器 eSSD 价格预计四季度涨幅将超 10%。
高盛与 TrendForce 等机构预测，这种涨势将持续至 2026 年，DRAM 四季度环比涨幅或达 8%~13%，NAND 则为 5%~10%，若计入 HBM，涨幅将进一步扩大。
进一步来看，价格飙升的背后，是全球存储巨头的产能战略性倾斜。
三星、SK 海力士、美光三大寡头摒弃了过去 「规模优先」 的策略，转向 「利润优先」，将先进制程产能集中投向高附加值产品。DRAM 领域，三星率先停止 DDR4 生产，SK 海力士计划将 DDR4 产能压缩至 20%，美光与 SK 海力士年底便停止接收 LPDDR4X 新订单，所有资源向 DDR5 与 HBM 倾斜；NAND 市场，厂商纷纷缩减消费级产能，将产能转向企业级 3D QLC 产品。
这种结构性倾斜导致了市场 「冰火两重天」：高端 HBM 与 DDR5 供不应求，中低端 DDR4 因减产速度超过需求下降速度，出现严重供需错配。对此，群联电子 CEO 直言，这种资本支出转向将导致 NAND 未来十年供应持续紧张，2026 年便将面临严重短缺。
产能倾斜与需求倒逼共同推动了存储技术的加速突破，成为行业变革的核心动力。其中，HBM 领域的技术迭代最为迅猛，据了解，2025 年，全球 HBM 总产能已增至 54 万片，同比激增 105%，但仍难以填补 AI 带来的需求缺口。
SK 海力士已建成 HBM4 量产体系，预计将占据 HBM4 市场 60% 以上份额，三星、美光等厂商也在加紧筹备 HBM4 量产，力争抢占英伟达、AMD 认证先机，而国内相关厂商也在加速突破，国产替代窗口期持续扩大。
总的来看，这场由 AI 引发的产业新变革，彻底打破了存储行业传统的 「供需博弈」 周期逻辑，形成了 「AI 需求牵引-产能高端倾斜-技术迭代加速-价格结构性上涨」 的新闭环。从 HBM 的一芯难求到 NAND 的从白菜价到紧俏货，从巨头的产能重构到国产厂商的突围，存储芯片市场正经历着新一轮的深度重塑，将存储芯片从标准化大宗商品，重塑为影响算力发展的战略性资源，标志着产业已进入一个由技术迭代与需求爆发共同定义的全新时代。
三、存储芯片 「三维革命」：技术竞速与巨头格局重塑
当前存储产业的变革不仅体现在市场供需层面，更在技术维度展开着一场深刻的 「三维革命」。HBM 的带宽竞赛进入白热化阶段，3D NAND 的堆叠层数不断刷新上限，HBF 技术的横空出世则点燃了新赛道的竞争火种。
这场围绕垂直堆叠、高速互联与架构创新的技术深耕，正重塑全球存储产业的竞争格局，巨头们的每一步布局都关乎未来数年的行业话语权。
HBM：带宽竞赛与标准主导权争夺
HBM 作为 AI 算力的关键核心，其核心突破在于 2.5D/3D 堆叠和硅通孔 （TSV）技术的创新应用。通过将多个 DRAM 芯片垂直堆叠并与 GPU/CPU 通过中介层互联，HBM 成功突破了传统封装技术的限制。以英伟达 H200 搭载的 HBM3E 为例，其带宽高达 4.8TB/s，完美解决了 AI 芯片面临的 「内存墙」 瓶颈。
然而，HBM 的技术迭代速度与竞争激烈程度远超传统存储领域。
2025 年 4 月，JEDEC 固态技术协会正式发布 HBM4 标准 （JESD270-4），将这一赛道的技术门槛推向新高度——采用 2048 位超宽接口，传输速率达 8GB/s，总带宽突破 2TB/s，较此前 SK 海力士宣称的 1.5TB/s 再提升 33%。
更关键的是，HBM4 将独立通道数量从 16 个翻倍至 32 个，同时引入 0.7V~0.9V 的低电压选项，在性能跃升的同时实现了能效优化，完美适配下一代生成式 AI 与高性能计算需求。
标准确立的背后，是国际巨头的贴身博弈。
从市场格局来看，SK 海力士凭借在 HBM3 和 HBM3E 领域的领先优势，目前占据全球 HBM 市场约 60% 的份额，成为英伟达 H100/H200 芯片的独家供应商。凭借先发优势持续领跑，SK 海力士在 2025 年 3 月率先发布 12 层堆叠的 HBM4 样品，采用 Advanced MR-MUF 封装技术，单堆栈容量可达 64GB，且已启动与英伟达下一代 GPU 的适配测试，试图延续其独家供应优势。
三星则依托垂直整合能力加速追赶，计划在 2025 年下半年启动 HBM4 量产，采用 4nm 逻辑芯片工艺与 10nm DRAM 制程，目标在良率与成本控制上形成突破，夺回被侵蚀的市场份额。美光虽暂未公开 HBM4 进展，但通过聚焦汽车与边缘计算领域的 HBM3E 变体产品，正构建差异化竞争壁垒。其 1β工艺 LPDDR5X 芯片已通过特斯拉认证，在该细分领域市占率达 35%。
摩根大通指出，技术突破使得 HBM 在 2027 年占 DRAM 总产值比重将达 43%，AI 相关应用占 DRAM 市场规模更是高达 53%，技术红利正成为超级周期的核心支撑。
在三大巨头角力的同时，国产力量的崛起也在为这场竞争注入新变量，引领着中国在高端存储领域从 「技术跟随」 向 「自主创新」 跨越。
3D NAND 的堆叠竞赛与现实困境
如果说 HBM 的核心是 「速度革命」，3D NAND 的突破则聚焦于 「空间革命」。
堆叠层数的持续提升成为厂商比拼的核心指标，这一技术突破意味着在单位面积内可容纳的存储容量再创新高，为 AI 数据中心需要的大容量存储需求提供了保障。
TechInsights 展示了各大厂商在 3D NAND 位密度 （bit density）上的演进趋势，横轴是堆叠层数，纵轴是单位面积的存储密度。可以看到，层数越高，代表技术越先进，也能带来更高的存储密度。
能看到，三星、美光、SK 海力士、铠侠/WD、Solidigm 等存储巨头都在稳步提升 3D NAND 闪存堆叠层数，整体趋势非常明显：从 200 层到 300 层的跨越，将带来更高的容量和更强的竞争力。
谁能把层数和密度拉满，谁就能在 NAND 这场 「堆积木比赛」 中领先。未来几年，276 层、300 层甚至更高层数的 NAND 将陆续登场，存储市场的竞争只会越来越激烈。
但从产业实际现状来看，在 DRAM/HBM 需求高涨的聚光灯下，NAND 产业的生存空间正被挤压，迫使各大厂商纷纷调整航向，将战略重心转向更具潜力的赛道。
三星的 V10 NAND 本是技术皇冠上的明珠，在技术层面，三星的 V10 NAND 计划在 2026 年 10 月正式量产，这款产品被视为技术上的重大飞跃，它将具备 400 层以上的活性层 （据悉为 430 层），接口速度提升至 5.6GT/s，旨在与 PCIe Gen6 主控协同发力数据中心市场。此外，为应对 AI 应用对高性能存储的需求，三星已重启专为 AI 优化的 Z-NAND 开发，目标性能提升最高 15 倍，功耗降低 80%。
尽管技术上高歌猛进，但三星在 NAND 的产能投资和先进技术导入上显得颇为谨慎，这与其在 HBM 领域的激进投入形成对比。
据报道，三星与 SK 海力士计划放缓 2025 年对先进 NAND 的投资步伐，将企业资金更多集中于 DRAM 和 HBM 领域。例如，三星在西安工厂的第 9 代 NAND 转换投资规模很小，并且推迟了在 V9 NAND 中导入混合键合技术的计划。
耐人寻味的是，三星将混合键合技术在 NAND 的应用计划搁置，却将同类型技术全力押注 HBM 量产——资源倾斜背后的战略优先级不言而喻。
而 SK 海力士凭借对英伟达 HBM 的近乎垄断，正采取一种 「精耕细作」 的策略发展其 NAND 业务：在 NAND 尖端技术研发上持续投入以保持竞争力，但在产能分配和资源倾斜上，确实在一定程度上受到了 HBM 和 DRAM 业务的挤压。
SK 海力士已在 NAND 技术上取得重大突破，开始量产全球首款 321 层 2Tb QLC NAND 闪存。与之前的产品相比，这款新闪存不仅容量翻倍，还通过架构优化实现了传输速度翻倍和显著的能效提升。公司计划将其首先应用于 PC SSD，随后逐步推广至数据中心的企业级 SSD 和智能手机存储，并明确瞄准了 AI 数据中心市场。此外，SK 海力士也已着手开发 400 层以上的 NAND 技术，计划在 2025 年末完成量产准备。
尽管技术上高歌猛进，但 SK 海士在产能和资源分配上确实向 HBM 和 DRAM 有所倾斜。为了满足 AI 巨头对 HBM 的爆炸性需求，SK 海力士正在全力扩充 HBM 产能。
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产能转换：由于新建晶圆厂周期长，SK 海力士选择通过改造部分现有的 NAND 产线来增加 HBM 的后工序产能。这直接表明，在有限的工厂空间内，NAND 产能为更高利润的 HBM 让了路。
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战略倾向：SK 海力士对 NAND 的资本支出态度相对保守。这主要是因为当前 DRAM（尤其是 HBM）的利润率远高于 NAND，且消费电子市场对 NAND 的需求相对疲软。因此，公司将宝贵的资源优先投入到了 DRAM 和 HBM 的扩产中。
总而言之，SK 海力士并未放弃在 NAND 领域的竞争，而是选择通过技术突破来维持其市场地位。但在资源的天平上，当前无疑更倾向于将产能和资本分配给正处于风口、利润也更丰厚的 HBM 业务。
此外，美日存储厂商的 NAND 业务也在收缩战线与被动承压。其中，美光退出移动 NAND 市场的决策震动业界。「我们必须在 AI 内存浪潮中抢占制高点。」 其 CEO 桑杰·梅赫罗特拉在财报会议中的表态，揭开了残酷的算术题：同等资本投入 DRAM/HBM 的回报率已是 NAND 的 2.3 倍。而日本厂商，铠侠与西部数据合并案的反复拉锯，使其在层数竞赛中逐渐掉队，200 层以上产能占比稍显不足。
综合来看，各家存储厂商不仅在 「层数」 上拼命卷，还在架构设计上分出流派。未来，厂商需在技术突破与市场需求间精准把控，同时探索 3D NAND 与 HBM、AI 存储的协同应用，推动存储行业向更高效率、更低成本方向发展。
HBF：NAND 产业的 「HBM 时刻」
面对 HBM 在 DRAM 领域取得的巨大成功，NAND 厂商正在积极寻求技术突破，高带宽闪存 （HBF）技术应运而生，这被视为 NAND 产业的 「HBM 时刻」，正点燃 NAND 行业的 「第二增长曲线」 竞争。
据了解，HBF 的技术原理与 HBM 类似，旨在通过颠覆性架构设计打破了传统 NAND 的性能瓶颈——采用 16 颗核心芯片垂直堆叠，通过硅通孔 （TSV）技术互连，并叠加专用逻辑芯片实现多子阵列并行访问，使单堆叠单元容量达到 512GB，是 8-Hi HBM3E 的 21 倍。
其底层基于 SanDisk 的 BICS 3D NAND 架构，并采用 CMOS 直接键合技术，将存储阵列与逻辑芯片紧密集成，为带宽提升奠定硬件基础。尽管 HBF 的单比特访问延迟仍无法与 DRAM 相比，但其主要面向高吞吐量、读取密集型的 AI 推理任务。
HBF 的技术定位精准填补了市场空白。针对 AI 推理场景对 「高带宽、大容量、低成本」 的需求，SanDisk 提出 「匹配 HBM 带宽、提供 8~16 倍容量」的目标，虽未公开具体带宽数据，但通过并行访问架构，有望将延迟降至传统 SSD 的 1/5 以下，成为 HBM 在推理场景的理想补充。同时，为降低客户迁移成本，HBF 采用与 HBM 相似的机械与电气接口，仅需小幅协议调整即可适配现有 GPU 平台，这种 「兼容创新」 策略显著提升了技术落地效率。
从行业现状来看，一场围绕 HBF 的生态卡位战已悄然打响。
作为 SanDisk 的母公司，西部数据正将 HBF 与自身的 Ultrastar SSD 产品线整合，计划 2026 年推出首款搭载 HBF 的企业级存储解决方案，目标拿下北美云服务商 30% 以上的推理节点存储订单。
三星与铠侠也加速跟进，分别启动 「High-Bandwidth NAND」 与 「Flash-IO Accelerator」 项目，前者侧重与 HBM 的协同调度，后者聚焦低功耗优化，试图在技术路线上形成差异化。
SanDisk 则通过联手 SK 海力士推动 HBF 成为开放标准，组建包含云服务商与芯片厂商的技术顾问委员会，试图以生态主导权压制竞争对手。
在 NAND 技术红利消退与需求代际更迭的叠加背景下，当 HBF 技术尝试打通 「存算边界」，这场 NAND 的生存游戏再次印证了这个更深刻的产业变局——存储芯片的战场，终将从层数竞赛升维至架构革命。
从 HBM 的带宽竞速到 3D NAND 的层数突破，再到 HBF 的架构创新，存储产业的 「三维革命」 本质是一场技术深耕的持久战。国际巨头凭借多年技术积累仍占据主导地位——三星的垂直整合能力、SK 海力士的 HBM 市占优势、美光的汽车存储布局，共同构成了现有产业格局的基石。
未来，技术话语权将成为竞争的核心。HBM4 标准的落地将引发新一轮产能竞赛，3D NAND 的混合键合技术可能成为 400 层以上产品的标配，HBF 则需要在写入寿命与延迟控制上实现突破。
对于厂商而言，单纯的层数或带宽比拼已不足够，只有将技术创新与生态绑定、场景适配相结合，才能在 AI 驱动的存储新周期中站稳脚跟。而每一次技术突破，都在重新定义存储与算力的边界。
四、周期预判：结构性机遇下的复苏与博弈
当前存储芯片市场的强劲涨势，尤其是 HBM 的爆发性增长，让 「超级周期」 成为热议焦点。
对于存储行业的周期走向，分析机构与巨头的预判共同指向 「非典型复苏」，即这并非传统 3~5 年库存周期的简单重复，而是 AI 驱动的结构性增长与行业固有周期属性交织的新格局，但 「超级周期」 的成色仍取决于多项因素的考量与博弈。
首先，驱动此次周期的核心 「定数」 在于 AI 需求引发的产业逻辑重构。这不仅是需求的扩张，更是需求的结构性变革。存储巨头们的战略重心已清晰地向 HBM、高速 DDR5 等高附加值产品倾斜。
同时，AI 服务器和数据中心的需求激增，也推动了存储芯片市场的发展。为满足 AI 巨头们如 OpenAI「星际之门」 项目的庞大需求，全球 HBM 产能正被加速构建。这种产能的 「战略转移」 导致传统存储类别如 DDR4 面临供给紧张，价格出现异常上行。
Yole Group 数据显示，2025 年全球存储收入有望达 2000 亿美元，同比增长 18%，AI 服务器的 eSSD、服务器 DRAM 与 HBM 需求构成核心拉动力。而摩根士丹利指出，「带宽决定性能」 的技术范式转移，使企业级资本开支的刚性远超消费端波动，为周期长度与强度提供了关键支撑。
其次，原厂策略调整与周期属性，构成了平衡周期节奏的核心 「变数」。经历过 2023 年库存危机后，三星、SK 海力士、美光等巨头转向 「精准减产+高端倾斜」 策略，DDR4 等传统产能收缩与 AI 存储需求扩张形成结构性失衡，推动四季度 DDR5 RDIMM 价格上涨 10%~15%。这种供需调节使行业从全面过剩转向紧平衡，但消费端疲软仍存，智能手机存储升级放缓可能压制中低端产品涨幅，限制周期的全面爆发。
另外，地缘政治与供应链风险，则为周期增添了最大不确定性。国际巨头在 HBM 与先进封装领域的技术垄断，叠加供应链限制，使国产企业虽获导入窗口，却难以快速突破高端环节。国产替代虽加速，但 HBM 领域的技术代差仍可能分流周期红利。
更关键的是，稀土禁运、先进设备和材料出口管制、关税提升等制裁措施或将为存储芯片产业周期注入显著不确定性，既可能延缓复苏节奏，也可能加速结构性变革。贸易制裁在短期内可能扰乱正常的市场供需和库存消化节奏，甚至引发囤货潮，给产业周期的判断带来变数。从中长期看，地缘政治因素已成为影响存储芯片产业格局的重要变量，传统的周期模型需要纳入制裁等政策性风险。
整体来看，断言单一的 「超级周期」 或许过于乐观，存储市场更可能步入一个 「结构性超级周期」，其特点是 AI 驱动的高性能存储芯片领域持续高热，而传统市场则在其涟漪效应中波动前行。
短期来看，由 AI 需求和高附加值产品产能挤占带来的涨价动力依然强劲。但长期而言，行业最终会走向新的供需平衡。此次复苏的最终形态，将取决于 AI 需求的持久力、全球产能分配的调整，以及地缘政治等多重变量的复杂互动。
对于行业参与者而言，竞争的核心已不再是简单的产能扩张，而是在这场由 AI 引领的变革中，能否精准把握技术演进与市场格局重构的节奏，做出前瞻性的战略布局。于全球巨头而言，这是巩固技术溢价的机遇；对国产企业来讲，这也是缩小差距的关键窗口，存储周期的最终形态，将由技术突破速度、需求持久力与供应链博弈结果共同书写。
本文来自微信公众号：半导体行业观察 （ID：icbank），作者：L 晨光